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執行標準：GJB 150.25-86、GB-T 4857.23-2003、GBT4857.10-2005；

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件、IGBT模塊及其他電子產品；

試驗方法：通過用振動臺模擬實際運輸、安裝及使用過程中的振動環境，對器件施加特定頻率和振幅的振動激勵，通過監測器件在振動下的性能變化和結構完整性來評估其抗振能力。其意義在于驗證功率器件在振動環境下的可靠性和耐久性，預防因振動引起的線路板斷裂、焊點脫落等結構失效，確保產品在實際使用中能夠穩定運行，減少售后維修和退換貨成本，同時滿足法規及客戶針對不同應用領域的振動性能標準要求。